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        薄膜組件和集成的下一步是體積效率

        對用于生產的下一代電容器、電阻器和電感器的新工藝和材料的興趣和投資明顯增加。這一趨勢包括在資本設備上的支出和基于更大、更多樣化的電子材料集合擴展內部知識,這些電子材料已被現場證明可以產生納法拉、納歐和納亨。推動電子元件走向未來的兩個關鍵市場驅動因素是元件小型化趨勢和更高工作頻率下的新產品推出。

        緊跟路線圖路線圖終于將體積效率的極*推到了新的存在水平,采用 008004 EIA(英寸或 0201 毫米)外殼尺寸芯片,現在可用于陶瓷片式電容器和陶瓷片式電感器(但尚未明顯可用)在貼片電阻器中,無論是厚膜還是薄膜電阻,供應鏈中都可以感受到這種缺失)。如此小的產品變得越來越難以處理以準確“取放”,但與任何好的技術一樣,學習曲線很快就會掌握。在無源器件中,陶瓷電容器和陶瓷電感器中用于制造如此小的電子元件的使能技術是薄膜技術的發展。

        首先讓我說,厚膜技術有可能比20年前設計工程師認為的更進一步擴展。與任何破壞性技術一樣,它只有在大量建立拾放機器和人們在紙上簽名的琥珀浪潮中才能發揮*大作用(也稱為恐龍);然而,就像任何好的顛覆性技術一樣,推動這項技術需要大約 20 年的時間;貿易展攤位的小玩意兒,高架滑梯的永無止境的過渡,終將其帶入流行的思維模式,在那里它的“設計”就像任何初級電介質一樣簡單。逐漸進入主流的成功技術之一是用于生產無源元件的薄膜工藝。

        薄膜組件和集成的下一步是體積效率

        占用多空間的人嘗試讓事情變得更小和更完整是集成無源電子元件如何發展的圖示。它展示了被動元件行業的三個主要部分——電容器、電阻器和電感器;電容器進一步突破到陶瓷、鉭、鋁和直流薄膜領域。從固定電容器,我們可以看到陶瓷如何用于厚膜 R/C 網絡。從等式的電阻器一側,其中大部分興趣在于 R/C 網絡,我們看到網絡是如何從平面電阻器段開始的明顯趨勢,從厚膜電阻器芯片開始,然后是厚膜網絡,然后結合與陶瓷電容器形成 R/C 網絡。該圖表還顯示了如何從電阻芯片開發多芯片陣列,并隨后將其納入網絡統計數據。而且,

        無源元件生成的薄膜設備要求

        業界的普遍格言是,薄膜被動元件(薄膜電阻型號)是歷史上生產被動元件的厚膜方法(即多層堆疊、繞線、絲網印刷等)的一個臺階,是半導體生產的一個臺階。組件。關鍵區別在于半導體設備是資本密集型,而厚膜組件生產過程是原材料密集型,這一直是進入市場的障礙。然而,隨著新的、更高頻率的產品線的出現以及單個元件體積效率的持續下降,薄膜芯片的消耗量現在已達到數十億片,需要更大的無源元件制造商進行大量投資(即TDK和村田)。

        為了制造薄膜芯片,所需的生產設備較少,并且主要與物理氣相沉積設備相關。然而,隨著時間的推移,可能需要額外的設備來生產完*集成的無源器件,如下所示。

        物理沉積氮化鉭電阻層??需要 PVD ??設備。它作為薄膜無源元件標準生產的要求。這里可以使用舊的 PVD ??設備,因為對薄膜無源器件的要求不像的半導體那么嚴格。一般認為,在標準操作中至少需要一臺額外的“備用”PVD 機器,以防初始機器出現故障。每層屏蔽都需要等離子體蝕刻機和掩模步進機(即電阻一次,電容一次,鈍化一次。需要離子注入機來操縱硅以形成二氧化硅或氮化硅電容器;以及ESD保護二極管,例如齊納二極管、硅雪崩二極管或肖茨基二極管。也可以使用離子注入機來形成用于電感的晶體鐵電層。薄膜集成芯片上需要后的鈍化層。這通常是通過化學氣相沉積 (CVD) 機器完成的。

        而電容層、電阻層和電感層可以應用在PVD設備上;第四層鈍化層一般采用CVD機進行。潔凈室的成本非常高,因為它們需要三重密封;并且必須不受有機材料和氣體的影響。通風罩必須排出比進入時更清潔的空氣。需要大型空調裝置進行過濾。人們普遍認為,激光修邊機越多越好。需要激光修整設備來設置管芯上的電阻值。包裝非常昂貴,在某些情況下可能高達成本的 75%,因為該過程是勞動密集型的。

        由于勞動力成本高,沒有一家美國公司使用國內資源進行包裝,當然,除非它是原型工作。包裝一般在日本以外的亞洲國家完成。需要卷帶設備來滿足 90-95% 的訂單。大多數大批量操作都需要將電子元件包裝成卷帶形式,以便輕松插入貼片機。然而,一些終用途市場,例如電機控制器的工業細分市場,需要華夫餅包裝而不是卷帶包裝。測試設備是必需品,被視為集成無源器件生產的瓶頸。軍事/航空航天應用的組件測試非常嚴格且耗時。并且在進行薄膜加工的成本規劃時必須考慮在內,因為國防和航空航天部門是消費的很大一部分,尤其是國防通信、制導和彈藥。

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